Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件,助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能
代表着下一代电源系统未来的，氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.近日宣布新推出一款TOLT封装形式的SuperGaN® FET。新产品TP65H070G4RS 晶体管的导通电阻为72毫欧，为业界首个采用JEDEC标准（MO-332）TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化镓器件。针对不适合使用传统底部散热型表贴器件的系统，TOLT封装为客户提供了更为灵活的热管理方案。采用TOLT 封装，不仅热性能可媲美广泛使用的、热性能稳定的TO-247插孔封装，还具有基于... [2024-10-17]
