长期以来，在功率应用方案中，热管理一直是挑战。当项目有空间放置大型的散热器时，从电路板和半导体器件上将废热导出较为容易。然而，随着输出功率提升以及功率密度和电路密度的要求，散热处理的难度越来越大。对于当今的大电流、高功率应用和650 V GaN功率场效应晶体管，通常需要更高效的器件散热方式，甚至已成为强制性的要求。因此，顶部散热方式的 CCPAK封装，可以提供更佳散热性能。 在大功率器件封装中，最主要的散热要素就是传导路径。对于传统的SMD封装，废热通过器件的底部散热，将器件引脚和PCB作为散... [2024-10-17]

代表着下一代电源系统未来的，氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.近日宣布新推出一款TOLT封装形式的SuperGaN® FET。新产品TP65H070G4RS 晶体管的导通电阻为72毫欧，为业界首个采用JEDEC标准（MO-332）TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化镓器件。针对不适合使用传统底部散热型表贴器件的系统，TOLT封装为客户提供了更为灵活的热管理方案。采用TOLT 封装，不仅热性能可媲美广泛使用的、热性能稳定的TO-247插孔封装，还具有基于... [2024-10-17]

_____ 本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/202311/453046.htm 由于半导体生物传感器的低成本、迅速反应、检测准确等优点，对于此类传感器的研究和开发进行了大量投入。特别是基于场效应晶体管 (FET) 的生物传感器或生物场效应管，它们被广泛用于各种应用：如生物研究，即时诊断，环境应用，以及食品安全。 生物场效应管将生物响应转换为分析物，并将其转换为可以使用直流I-V技术轻松测量的电信号。输出特性 (Id-Vd)、传输特性 (Id-Vg)... [2024-10-17]